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1、增加绝缘子数目或采用防污型绝缘子等来增加绝缘子表面的泄露比距（绝缘子表面泄露距离与较大工作线电压的比值），从而提高绝缘子串的污闪电压。各级污秽区泄露的比距参见下表

 污秽水平  清洁区  轻污秽区  重污秽区  严重污秽区 
 泄露比距（cm/kv）  1.15~1.44  1.73~2.02  2.31~2.88  大于等于3.46 


2、对污秽绝缘子定期进行清扫或采用带水冲洗以保持绝缘子表面的清洁。

3、在绝缘子表面涂憎水性材料，如**硅质、地蜡等，使绝缘子表面在潮湿天气下不易形成连续水膜，减小泄露电流值，提高污闪电压。

4、采用半导体釉绝缘子。在运行中利用半导体釉层流过的泄漏电流加热表面，使绝缘子表面保持干燥，同时使绝缘子表面电压分布比较均匀，从而提高污闪电压。

 
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